通過摻磷或摻硼，采用MCZ工藝，生產尺寸為3寸、4寸，電阻5-55Ω.cm，

以單晶矽片為載體，通過摻磷或硼的擴散方式，生產各種規格STD，FR，HER，SF，TVS等各類產品。

采用刀刮方法生產GPP芯片，並可根據客戶需要結合SIPOS（摻氧半絕緣多晶矽）沈積工藝生產，

采用光阻法生產GPP芯片，采用SIPOS（摻氧半絕緣多晶矽）沈積等技術，

本公司提供200W、400W、600W、1500W、5000W之 6.8V至400V A/CA(單向及雙向)產品，

采用外延片為載體，進行擴散、玻璃鈍化，得到特殊產品特性，TRR波形振蕩較小，應用上幹擾較小。